基本信息

姓名：陈王华

性别：男

职称：教授

电子邮箱：chenwanghua@nbu.edu.cn

研究方向：硅纳米线和薄膜的制备及其电子器件研究

个人简介

教育背景：学位 时间 国家 院校 专业
学士 2002.09 – 2006.06 中国 宁波大学 物理
硕士 2006.10 – 2008.06 法国 鲁昂大学 材料物理
博士 2008.10 – 2011.12 法国 鲁昂大学 材料科学

工作经历：职务 时间 国家 单位
博士后 2012.01 – 2012.12 法国 鲁昂材料物理研究所
博士后 2013.01 – 2018.09 法国 巴黎综合理工学院
教授 2018.10 – 至今 中国 宁波大学

目前从事的主要研究工作：陈王华博士对低温等离子体处理、三维原子探针层析、气相沉积系统中半导体纳米线的制备机理和生长控制、半导体纳米线的原子尺度表征、半导体纳米线的输运和光电特性，及其在半导体外延和高性能晶硅太阳能电池钝化做出了一系列原创性研究。

其中以第一或通讯作者在 Nature Communications, Progress in Photovoltaics, Solar Energy Materials Solar Cells 等国际一流学术期刊上发表学术论文30 余篇，参加国际会议 20 余次。学术专著（章节）1 本。文章引用次数1000余次。获得国际发明专利授权3项以及国内发明专利4项。和国内外院校以及研究院建立了良好的合作关系，包括法国巴黎综合理工学院、法国鲁昂大学、美国芝加哥大学、欧洲微电子中心（IMEC）和南京大学等等。

指导多名硕士研究生，其中2名硕士研究生已经考入南京大学攻读博士学位

代表性学术论文

题目：Incorporation and redistribution of impurities into silicon nanowires during metal-particle-assisted growth

发表刊物名称：Nature Communications

发表时间：2014-06

题目：Self-formation of SiGe oxide, Ge, and void multilayers via thermal oxidation of hydrogenated epitaxial SiGe films

发表刊物名称：Vacuum

发表时间：2023-08

题目：Fabrication of Crystalline Si Thin Films for Photovoltaics

发表刊物名称：Physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters

发表时间：2022-09

题目：Investigation of Sn-containing precursors for in-plane GeSn nanowire growth

发表刊物名称：Journal of Alloys and Compounds

发表时间：2022-04

题目：Impact of PECVD-prepared interfacial Si and SiGe layers on epitaxial Si films grown by PECVD (200 °C) and APCVD (1130 °C)

发表刊物名称：Applied Surface Science

发表时间：2021-04

承担与完成的主要科研项目

项目名称：高锡组分锗锡纳米线的制备及其生长动力学研究

项目来源：浙江省自然科学基金探索项目

项目起止时间：2024-01 至 2026-12

科研获奖情况

授权发明专利

专利名称：一种纳米晶氧化硅薄膜及其制备的类光刻胶氧化硅材料

专利号：ZL201910977268.3

专利名称：一种外延层转移方法

专利号：CN201910975301.9

专利名称：一种制备锗纳米线的方法

专利号：CN201911313015.2

专利名称：一种金纳米线的制备方法

专利号：ZL201910969442.X