基本信息
姓名：王刚
性别：男
职称：教授
电子邮箱：gangwang@nbu.edu.cn
研究方向：新型功能材料及光电器件/图像传感器应用
通讯地址：浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学龙赛理科楼328
个人简介
教育背景：2007-09至2011-07，兰州大学，微电子学，学士学位；
2011-09至2016-07，保研兰州大学进行硕博连读，微电子与固体电子学，博士学位；
2011-09至2016-07，中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合培养，博士学历；
工作经历：1. 2020-01至2020-06，新加坡南洋理工大学，访问学者；
2. 2022-07至2023-09，中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合培养，访问学者；
3. 2016年至今，中科悦达（上海）材料科技有限公司担任石墨烯技术顾问；
4. 2017-2020，浙江省石墨烯制造业创新中心担任石墨烯量子点创新团队负责人；
4. 2023年至今，上海市石墨烯产业技术功能型平台，上海超碳石墨烯产业技术有限公司担任公司副总和项目部部长；
目前从事的主要研究工作：主要研究方向：
1. 多维度材料制备及光电、图像传感和生物传感器的应用。研究方向涉及化学、材料、物理以及电子等多个学科，属于前沿交叉研究领域；
2. 新型无源无线传感芯片、高可靠高速并行图像处理芯片和高速CMOS图像传感器等数模混合集成电路的设计、制造和封测的研究；
3. 智能热管理技术方向的研究。聚焦在主动/被动制冷材料、柔性热电材料与器件、高性能柔性导热复合材料等。
截止目前，第一或通讯作者在Nat. Electron., Nat. Commun., Energy Environ. Mater., Adv. Energy Maters., Adv. Funct. Mater., Small, Adv. Opt. Mater., J. Mater. Chem. A/B/C., ACS Appl. Mater. Interfaces.，IEEE Electron. Device L., IEEE T. Electron. Dev.和Appl. Phys. Lett.等期刊发表论文100余篇；引用4700余次，2篇超400次，10篇超100次，10篇当选为期刊封面，5篇ESI高被引论文。申请国家发明专利60余件（授权40余件），申请国际发明专利4件（授权3件）。
主持国家自然科学基金面上项目、青年基金、军工项目、国家信息功能实验重点实验室课题、集成电路材料全国重点实验室课题、美国Los Alamos 国家实验室开放基金和企业横向等。
代表性学术论文
题目：μ-Graphene Crosslinked CsPbI3 Quantum Dots for High Efficiency Solar Cells with Much Improved Stability
发表刊物名称：ADVANCED ENERGY MATERIALS
发表时间：2018-08
题目：Facile and Highly Effective Synthesis of Controllable Lattice Sulfur-Doped Graphene Quantum Dots via Hydrothermal Treatment of Durian
发表刊物名称：ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
发表时间：2018-02
题目：Interfacial monolayer graphene growth on arbitrary substrate by nickel-assisted ion implantation
发表刊物名称：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE
发表时间：2018-02
题目：Direct integration of polycrystalline graphene on silicon as a photodetector via plasma-assisted chemical vapor deposition
发表刊物名称：Journal of Materials Chemistry C
发表时间：2018-09
题目：Insights into the Oxidation Mechanism of sp2−sp3 Hybrid Carbon Materials: Preparation of a Water-Soluble 2D Porous Conductive Network and Detectable Molecule Separation
发表刊物名称：Langmuir
发表时间：2017-01
题目：Green, Rapid, and Universal Preparation Approach of Graphene Quantum Dots under Ultraviolet Irradiation
发表刊物名称：ACS Applied Materials & Interfaces
发表时间：2017-04
题目：Barrier-assisted ion beam synthesis of transfer-free graphene on an arbitrary substrate
发表刊物名称：Applied Physics Letters
发表时间：2019-09
题目：Controllable Growth of Vertically-oriented Graphene for High Sensitivity Gas Detection
发表刊物名称：Journal of Materials Chemistry C
发表时间：2019-04
题目：Nitrogen-Doped Graphene Quantum Dots for 80% Photoluminescence Quantum Yield for Inorganic γ-CsPbI3 Perovskite Solar Cells with Efficiency beyond 16%
发表刊物名称：Journal of Materials Chemistry A
发表时间：2019-02
题目：Seamless lateral graphene p–n junctions formed by selective in situ doping for high-performance photodetectors
发表刊物名称：Nature Communications
发表时间：2018-12
题目：Promising Fast Energy Transfer System Between Graphene Quantum Dots and the Application in Fluorescent Bio-imaging
发表刊物名称：Langmuir
发表时间：2018-11
题目：Ambipolar Graphene-Quantum Dot Phototransistors with CMOS Compatibility
发表刊物名称：Advanced Optical Materials
发表时间：2018-10
题目：Graphene: Synthesis of Layer-Tunable Graphene: A Combined Kinetic Implantation and Thermal Ejection Approach
发表刊物名称：Advanced Functional Materials
发表时间：2015-03
题目：Conductive graphene-based E-textile for highly sensitive, breathable, and water-resistant multimodal gesture-distinguishable sensors
发表刊物名称：Journal of Materials Chemistry A
发表时间：2020-08
题目：Natural Graphene Plasmonic Nano‐Resonators for Highly Active Surface‐Enhanced Raman Scattering Platforms
发表刊物名称：Energy & Environmental Materials
发表时间：2022-06
题目：Ordered Element Distributed C3N Quantum Dots Manipulated Crystallization Kinetics for 2D CsPbI3 Solar Cells with Ultra‐High Performance
发表刊物名称：Small
发表时间：2022-04
题目：Bandgap engineering of two-dimensional C3N bilayers
发表刊物名称：Nature Electronics
发表时间：2021-02
题目：Investigation of a Highly Sensitive Surface-Enhanced Raman Scattering Substrate Formed by a Three-Dimensional/Two-Dimensional Graphene/Germanium Heterostructure
发表刊物名称：ACS Applied Materials & Interfaces
发表时间：2022-02
题目：Intact Vertical 3D–0D–2D Carbon‐Based p–n Junctions for Use in High‐Performance Photodetectors
发表刊物名称：Advanced Optical Materials
发表时间：2021-07
题目：Sensitive, reusable, surface-enhanced Raman scattering sensors constructed with a 3D graphene/Si hybrid
发表刊物名称：ACS Applied Materials & Interfaces
发表时间：2021-10
题目：Dual-Enhanced Photodetectors Combining Graphene Plasmonic Nanoresonators With Germanium-on-Insulator Optical Cavities
发表刊物名称：IEEE Transactions on Electron Devices
发表时间：2022-04
题目：Resonant nanocavity-enhanced graphene photodetectors on reflecting silicon-on-insulator wafers
发表刊物名称：Applied Physics Letters
发表时间：2021-07
承担与完成的主要科研项目
项目名称：石墨烯分散装备-超高压微射流均质机关键部件技术的开发
项目来源：企、事业单位委托项目
项目起止时间：2021-08 至 2026-08
项目名称：多维度石墨烯耦合在硅基红外探测器的吸收增强机制及性能调控研究
项目来源：国家自然科学基金面上项目）
项目起止时间：2022-01 至 2025-12
项目名称：硅基多维碳材料耦合结构的制备及其光电联合调控的研究
项目来源：集成电路材料全国重点实验室课题
项目起止时间：2023-07 至 2024-06
项目名称：CMOS图像传感器芯片性能测试
项目来源：中国人民解放军某部队
项目起止时间：2022-06 至 2026-11
项目名称：硅基多维度石墨烯的宽带图像传感器的性能调控
项目来源：宁波市青年科技创新领军人才项目
项目起止时间：2023-10 至 2025-10
项目名称：低温等离子体化学气相沉积法制备锗基石墨烯材料
项目来源：省教育厅(理)/科研计划
项目起止时间：2016-10;2018-12
项目名称：等离子体增强CVD法低温制备锗基单晶石墨烯连续膜
项目来源：国家自然科学基金/青年科学基金项目
项目起止时间：2018-01;2020-12
项目名称：基于离子注入技术构建面内石墨烯p-n结及其光电探测器
项目来源：国家重点实验室
项目起止时间：2018-01;2019-12
项目名称：石墨烯量子点辅助CVD法制备石墨烯p-n结及其光电应用的研究
项目来源：市科技局/自然科学基金
项目起止时间：2020-12;2022-12
项目名称：碳基二维半导体材料C3N的可控制备、物性与器件研究
项目来源：联合参与外单位项目/单位参与国家级科研项目
项目起止时间：2018-01;2021-12
项目名称：新型碳基二维半导体材料C3N高质量薄膜的室温快速可控制雀
项目来源：国家自然科学基金
项目起止时间：2019-01;2021-12
科研获奖情况
授权发明专利
专利名称：一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法
专利号： 103208425B
专利名称：层数可控石墨烯的生长方法
专利号： 103265021B
专利名称：锗基石墨烯的抗菌用途
专利号：104686575B
专利名称：掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法
专利号： 105655242B
专利名称：一种石墨烯的制备方法
专利号：103523770A
专利名称： 一种可控的制备石墨烯量子点方法
专利号：CN201910375510.X
专利名称：一种异性堆叠石墨烯的制备方法
专利号：CN201811592551.6
专利名称：一种以掺杂石墨烯量子点为形核点制备掺杂石墨烯的方法
专利号：201910231028.9
专利名称：METHOD FOR PREPARING GRAPHENE POWDER
专利号：2028257