报告时间：2021年7月19日08:30-11:30

报告地点：包氏教学楼 8-204

讲座人：杨洪新

报告摘要：磁随机存储器和磁斯格明子是当前自旋电子学研究的两个重要方向，特别是拓扑磁结构，如磁斯格明子、手性磁畴壁、磁浮子、双半子等作为信息载体因其非易失、小尺寸、高速读写以及低电流就可以驱动等特点而在下一代自旋电子学器件领域被寄予厚望。本报告将汇报磁随机存储器及磁斯格明子的决定参量垂直磁各向异性和反对称交换耦合（Dzyaloshinskii-Moriya相互作用）的前沿进展，具体将汇报（I）在弱自旋轨道耦合体系中如何获得巨大垂直磁各向异性[1-2]；（II）从对称性交换耦合（海森堡交换耦合）、磁各向异性以及反对称交换耦合（Dzyaloshinskii-Moriya相互作用）等基本磁相互作用出发来揭示拓扑磁结构的物理图像[3-10]，以及如何选择材料和设计结构来实现完备的磁斯格明子基逻辑门。

个人简介：

杨洪新研究员本科毕业于吉林大学，硕士在吉林大学和中科院物理所联合培养，2012年于法国格勒诺布尔大学获得博士学位，后陆续在巴黎十一大，澳大利亚联邦科学与工业研究中心，法国SPINTEC，法国国家科学中心和泰雷兹联合物理实验室，以及日本国立材料研究所从事科学研究工作，17年加入宁波材料所，与何少龙研究员、曹彦伟研究员共同创建量子功能材料团队，团队现有3名研究员、8名博后等共30余人。研究兴趣主要集中在表面界面自旋电子学的理论计算研究，已在Nature Materials，Nature Nanotech.，PRL，Nano Lett.，Advanced Materials等杂志上发表论文60余篇，在垂直磁各向异性、拓扑磁结构机理研究、自旋霍尔效应以及石墨烯自旋电子学等领域都有文章入选ESI高引论文。Nature等杂志审稿人。