报告时间：2021年7月18日15:40-17:30

报高地点：包氏教学楼 8-204

讲座人：孙宜阳

报告摘要：

报告将介绍基于密度泛函理论研究半导体缺陷性质的计算方法，重点讨论超原胞的尺寸效应、交换关联泛函的选取和半导体中带电缺陷的计算等常见问题。接下来介绍采用这些计算方法对新型无机功能材料（主要是新能源材料）设计方面所取得的一些进展，包括传统宽禁带半导体材料（如ZnO，GaN和SiC）中缺陷束缚小极化子的研究，新型钙钛矿光电材料中的缺陷容忍性，光催化材料TiO₂中通过动力学稳定的缺陷进行光吸收调控，以及缺陷计算方法在锂离子电池材料研究中的一些应用。

个人简介：

孙宜阳，1996年本科毕业于吉林大学材料科学系，1999年毕业于厦门大学物理系，获得硕士学位，2004年获新加坡国立大学物理学博士学位。2004年至2010年先后于新加坡国立大学、美国可再生能源国家实验室和Rensselaer Polytechnic Institute（RPI）做博士后。2010年至2017年于RPI物理系先后任研究助理教授和研究员，2017年至今任中国科学院上海硅酸盐研究所研究员。主要研究方向是基于第一性原理计算的材料物性研究与新材料设计。已发表科研论文120篇，包括30余篇在PRL、JACS、Angew. Chem.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Nature Comm.和PNAS等高影响期刊。