报告主题：二元氧化物阻变调控及其突触仿生
报告人：赖云锋，教授，福州大学物理与信息工程学院
报告时间：2020年10月28日（星期三）下午（16:00-17:00）
报告地点：龙赛理科楼北楼116会议室

报告简介：
忆阻器由于具备功耗低、CMOS工艺兼容性好、微缩能力强、开关速度快、窗口比值大、多值存储等优良特性，而被国际半导体技术路线图（ITRS）视作应当受到重视并加速实现产业化的新型存储器之一。其多值存储特性不仅可用于存储器，实现海量存储；还可服务于电子突触，实现神经形态计算，为人工智能的发展奠定硬件基础。本报告介绍掺杂、等离子体修饰、介质层设计、界面优化等手段对氧化锌、氧化铪忆阻器阻变性能的影响及其可能的作用机制；还将介绍相关改性工艺对器件多值存储和仿生突触特性产生的影响。

报告人简介：
赖云锋，福州大学物理与信息工程学院教授，2007年获上海交通大学微电子学与固体电子学博士学位。随后，在法国国家科学研究中心进行博士后研究，从事纳米线合成及其物性研究、高介电常数材料性能优化及其器件工艺研究。2009年加盟福州大学，现任教授。近些年，针对阻变存储材料与器件进行了具有特色的研究工作。提出采用等离子体修饰器件的技术手段，优化器件性能。已发表与存储技术相关且被SCI收录的学术论文30余篇，获得8件国家发明专利授权。