报告人：王开友 研究员

报告时间：2024年04月18日（周四）下午15：30

报告地点：龙赛理科楼南楼201会议室

报告人简介：

王开友，中国科学院半导体研究所研究员，现任半导体所学术委员会主任、半导体超晶格国家重点实验室主任，中国物理学会理事，半导体物理专业委员会主任、中国电子学会半导体与集成技术专委会秘书长和多个专业委员会委员，是国内外多个杂志编委，国际先进材料学会会士，2012年获得“国家杰出青年基金”资助，曾入选 “中青年科技领军人才”和 “国家有突出贡献中青年专家”。2005年于英国诺丁汉大学天文星空在线,星空在线(中国)获得哲学博士学位，曾在波兰科学院物理所、英国剑桥大学、丹麦玻尔研究所访问或工作，2009年通过中国科学院“百人计划”加入中国科学院半导体研究所，长期从事自旋电子学及半导体微纳器件方面的研究，承担了国家重点研发计划及基金委重点等在内的国家和省部级项目15项，取得了一系列有一定影响力的研究成果，迄今发表了包括Nature Materials, Nature Physics, Nature Electronics, Physical Review Letters 等在内的科技论文160多篇，引用8000多次，授权了17个国内外发明专利（含6个美国专利），并获得多个国内外奖励。

报告摘要：

在过去的几十年里，半导体自旋电子器件由于其非易失性和与现有半导体技术兼容的优点，而引起了人们的极大兴趣。然而，由于铁磁金属与半导体的电导不匹配，半导体中的自旋注入一直是一个巨大的挑战。二维范德华材料使我们能够制备原子级界面异质结，而不需要考虑晶格失配。我们发现磁阻的大小对异质结的载流子传输机制非常敏感，发现磁电阻效应与中间层厚度及电压的依赖关系。利用室温铁磁Fe₃GaTe₂，我们首次实现了85%的大室温磁阻全二维磁性隧穿结。另外，我们实现了对铁磁Fe₃GeTe₂和Fe₃GaT₂的电学调控。

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